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TOLL封裝的MOSFET特點(diǎn)以及技術(shù)優(yōu)勢(shì)

發(fā)布時(shí)間:

2024-09-13


TOLL封裝的MOSFET特點(diǎn)以及技術(shù)優(yōu)勢(shì)

TOLL(Transistor Outline Leadless)封裝的MOSFET,由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點(diǎn),已經(jīng)在電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)摩托車(chē)、鋰電保護(hù)、通信電源等終端客戶(hù)得到廣泛使用。

 

TOLL封裝(Transistor Outline Leadless)是一種先進(jìn)的功率器件封裝技術(shù),具有多個(gè)顯著的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。以下是對(duì)TOLL封裝的詳細(xì)解析:

一、基本特點(diǎn)

  1. 小體積:TOLL封裝以其緊湊的體積著稱(chēng),相比傳統(tǒng)封裝方式,如TO-263-2L或TO-263-6L,TOLL封裝的PCB占板面積減少了30%,高度降低了50%,電路板空間減少60%,非常適合高功率密度應(yīng)用場(chǎng)合。

  2. 低封裝電阻與寄生電感:TOLL封裝具有低的封裝電阻和寄生電感,這帶來(lái)了更小的導(dǎo)通阻抗、更高的峰值電流以及出色的EMI表現(xiàn)。低的寄生電感可以減少大功率應(yīng)用中并聯(lián)MOSFET的數(shù)量,提高功率密度。

  3. 高熱性能:TOLL封裝具備優(yōu)秀的散熱性能,其散熱路徑為Junction → Case → Solder → PCB → VIAs → PCB → TIM → Heatsink,雖然路徑相對(duì)較長(zhǎng),但散熱效率依然很高。這有助于降低器件溫升,提高產(chǎn)品的可靠性和壽命。

  4. 高電流承載能力:由于其獨(dú)特的封裝結(jié)構(gòu),TOLL封裝能夠承載更高的電流,滿(mǎn)足大功率應(yīng)用的需求。

     

二、技術(shù)優(yōu)勢(shì)

  1. 提高開(kāi)關(guān)速度:TOLL封裝能夠?qū)艠O驅(qū)動(dòng)的信號(hào)源端子進(jìn)行開(kāi)爾文連接,從而減小封裝中源極線的電感,提高M(jìn)OSFET的開(kāi)關(guān)速度,降低開(kāi)關(guān)損耗。

  2. 降低生產(chǎn)成本:由于TOLL封裝具有更小的體積和占板面積,可以節(jié)省PCB的應(yīng)用空間,進(jìn)而降低生產(chǎn)成本和散熱解決方案成本。

  3. 提高系統(tǒng)效率:低的封裝電阻和寄生電感使得TOLL封裝在應(yīng)用中能夠減少功率損耗,提高系統(tǒng)的整體效率。

  4. 高可靠性:TOLL封裝具備出色的散熱性能和低的電流密度,避免了高電流和高溫下可能導(dǎo)致的電遷移,從而提高了產(chǎn)品的可靠性。

三、應(yīng)用場(chǎng)景

TOLL封裝已經(jīng)廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,包括電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)摩托車(chē)、鋰電保護(hù)、通信電源、USB PD電源、電池保護(hù)、電機(jī)控制以及數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備的電源中。

關(guān)鍵詞:

TOLL,MOSFET

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