硅與碳的結合為這種材料提供了出色的機械、化學和熱性能，包括：

（1）高導熱性

（2）低熱膨脹和出色的抗熱震性

（3）低功耗和開關損耗

（4）高能效。

（5）高工作頻率和溫度（工作結點高達200°C）

（7）采用玻璃鈍化工芯片尺寸小（擊穿電壓相同)

（8）本征體二極管（MOSFET器件）

（9）出色的熱管理，可降低冷卻要求

（10）使用壽命長

碳化硅是一種非常適合電源應用的半導體，這首先要歸功于其承受高電壓的能力，比硅可用的電壓高十倍。基于碳化硅的半導體具有更高的導熱性、更高的電子遷移率和更低的功率損耗。SiC二極管和晶體管也可以在更高的頻率和溫度下工作，而不會影響可靠性。SiC器件（如肖特基二極管和FET/MOSFET晶體管）的主要應用包括轉換器、逆變器、電源、電池充電器和電機控制系統。

盡管硅是電子產品中使用最廣泛的半導體，但它開始顯示出一些局限性，尤其是在高功率應用中。這些應用中的一個相關因素是半導體提供的帶隙或能隙。當帶隙很高時，它使用的電子設備可以更小，運行更快，更可靠。它還可以在比其他半導體更高的溫度、電壓和頻率下工作。雖然硅的帶隙約為1.12eV，但碳化硅的值幾乎是3.26eV的三倍。

功率器件，尤其是MOSFET，必須能夠處理極高的電壓。由于電場的介電擊穿強度比硅高約十倍，SiC可以達到非常高的擊穿電壓，從600V到幾千伏。SiC可以使用比硅更高的摻雜濃度，并且漂移層可以做得非常薄。漂移層越薄，其電阻越低。理論上，在高電壓下，每單位面積漂移層的電阻可以降低到硅的1/300。

在大功率應用中，IGBT和雙極晶體管過去大多使用，目的是降低高擊穿電壓下產生的導通電阻。然而，這些器件具有顯著的開關損耗，導致發熱問題，限制了它們在高頻下的使用。使用SiC，可以制造肖特基勢壘二極管和MOSFET等器件，以實現高電壓，低導通電阻和快速操作。

在其純粹形式中，碳化硅的行為類似于電絕緣體。通過控制雜質或摻雜劑的添加，SiC可以像半導體一樣工作。P型半導體可以通過摻雜鋁，硼或鎵來獲得，而氮和磷的雜質會產生N型半導體。碳化硅在某些條件下具有導電的能力，但在其他條件下則不然，這取決于紅外輻射、可見光和紫外線的電壓或強度等因素。與其他材料不同，碳化硅能夠在很寬的范圍內控制器件制造所需的P型和N型區域。由于這些原因，SiC是一種適用于功率器件的材料，能夠克服硅提供的局限性。

另一個重要參數是導熱率，它是半導體如何能夠散發其產生的熱量的指標。如果半導體不能有效地散熱，則會對器件可以承受的最大工作電壓和溫度施加限制。這是碳化硅優于硅的另一個領域：碳化硅的導熱系數為1490 W/m-K，而硅提供的導熱系數為150 W/m-K。

與硅MOSFET一樣，SiC MOSFET具有內部體二極管。體二極管的主要限制之一是不希望的反向恢復行為，當二極管在攜帶正正向電流的同時關閉時，就會發生這種行為。因此，反向恢復時間（trr）成為定義MOSFET特性的重要指標。如拿1000V Si基MOSFET和SiC基MOSFET的trr比較。可以看出，SiC MOSFET的體二極管非常快：trr和irr的值非常小，可以忽略不計，能量損失Err大大降低。

SiC MOSFET的另一個重要參數是短路耐受時間（SCWT）。由于SiC MOSFET占用芯片的非常小的面積并且具有高電流密度，因此其承受可能導致熱斷裂的短路的能力往往低于硅基器件。例如，對于采用TO1封裝的2.247kV MOSFET，Vdd=700V和Vgs=18V時的短路耐受時間約為8-10μs。隨著Vgs的降低，飽和電流減小，耐受時間增加。隨著Vdd的降低，產生的熱量更少，耐受時間更長。由于關斷SiC MOSFET所需的時間非常短，當關斷速率Vgs較高時，高dI/dt會導致嚴重的電壓尖峰。因此，應使用軟關斷來逐漸降低柵極電壓，避免過壓峰值。

許多電子設備既是低壓電路又是高壓電路，相互連接以執行控制和電源功能。例如，牽引逆變器通常包括低壓初級側（電源、通信和控制電路）和次級側（高壓電路、電機、功率級和輔助電路）。位于初級側的控制器通常使用來自高壓側的反饋信號，如果沒有隔離柵，則容易受到損壞。隔離柵將電路從初級側電氣隔離到次級側，形成單獨的接地參考，實現所謂的電流隔離。這可以防止不需要的AC或DC信號從一側傳輸到另一側，從而導致電源組件損壞。

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